Генератор наносекундных импульсов на двух транзисторах схема
Вы точно человек?
Каскодное включение выходных транзисторов обеспечивает амплитуду тока накачки до ЗА. Генераторы накачки полупроводниковых излучателей на. Наряду с полупроводниковыми ключевыми элементами в генераторах накачки мощных инжекционных лазеров и светодиодов могут применяться быстродействующие искровые разрядники, электровакуумные лампы, тиратроны, таситроны. Указанные токовые ключи отличаются высокими энергетическими параметрами, их стабильностью и надежностью.
Одной из важнейших проблем электромагнитной совместимости технических средств является обеспечение их помехоустойчивости, т. В ближайшее время вся аппаратура промышленного, офисного и бытового назначения должна будет сертифицироваться на устойчивость к воздействию самых разнообразных помех. Особенностям построения имитаторов наносекундных импульсных помех и посвящена эта статья. В реальных условиях эксплуатации любое электротехническое, электронное и радиоэлектронное устройство подвергается воздействию внешних электромагнитных помех. При этом помехи в зависимости от места их появления делятся на кондуктивные и индуктивные.
Для измерения импульсных переходных характеристик и времени нарастания необходимы источники сигналов с короткими фронтами и высоким качеством формы импульсов. Одновременное выполнение этих требований представляет собой непростую задачу, в особенности для субнаносекундного диапазона скоростей. Схема на Рисунке 1, позаимствованная от калибратора осциллографа [ 1 ], отвечает критериям и скорости, и формы. Обратите внимание: чтобы обеспечить правильные уровни управляющих сигналов для транзисторов, IC 1 получает питание от шин земли и —5 В.
